日本Rapidus正推进其2nm工艺，有报道首次披露了该节点的逻辑密度，据称与台积电的N2相当。据透露，Rapidus的2HP工艺节点的逻辑密度达到了237.31百万晶体管/平方毫米（MTr/mm²），与台积电N2工艺的236.

据媒体报道，台积电（TSMC）在2nm制程节点上取得了重大突破，将首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，N2工艺还结合了NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相较于