2月14日消息，据媒体报道，近日，美国对1260H条款清单进行最新调整，将中国存储巨头长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）等12家中企，从中国军工企业管制黑名单中移除，为消费性产品采用中国制造的DRAM内存与NAND闪

铠侠最近公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是

根据集邦咨询 TrendForce 发布的最新研报，由于某些消费电子产品的需求减弱，内存价格从 2021 年第四季度开始不断下降。此外还受到其他多方面的因素：通胀上升、俄乌战争、疫情政策等影响，旺季需求疲软等等，因此这些销售压力

半导体存储芯片行业的发展是一个不断突破极限的过程。自1980年代NAND Flash问世以来，经历过SLC、MLC、TLC也发展到了现在的QLC，到2022年其堆叠层数更是迈进了200+层，闪存技术朝